Главная Интегральные микросхемы 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [ 11 ] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 Nippon Electric Corp. Пример маркировки Назначение и технология Корпус Назначение и технология: А - совмещенная технология В - цифровые биполярные ИС С - аналоговые биполярные ИС D - цифровые КМОП-ИС Т 7220 Корпус; А - металлостеклянный цилиндрический типа Т05 В - керамический плоский С - Пластмассовый DIL D - керамический DIL G - пластмассовый плоский Н - пластмассовый с однорядным расположением выводов J - пластмассовый типа Т092 К - керамический безвыводной кристаллодержатель L - пластмассовый безвыводной кристаллодержатель V - вертикальный OIL Phillips Префикс Обозначение Пример маркировки Назначение Температурный диапазон МА В -т 5400 Суффикс А DP Назначение: Для серий цифровых ИС - обозначение серии Для отдельных ИС - вторая буква не несет смыслового значения за исключением буквы Н, обозначающей гибридные ИС, первая буква означает: S - отдельные цифровые ИС Т - аналоговые ИС , и - совмещенные аналоговые и цифровые ИС Для микропроцессоров: MA - процессоры MB - микропроцессорные секции MD - управляющая память ME - остальные периферийные ИС Температурный диапазон:
Корпус: Первая буква обозначает тип корпуса: С - цилиндрический D - DIL Е - мощный DIL с креплениями для внешнего радиатора F - плоский, выводы с двук сторон G - плоский, выводы с четырех сторон К - типа ТОЗ М - многорядное расположение выводов (кроме двух-, трех- и четырехрядного) Q - четырехрядное расположение выводов R - четырехрядное расположение выводов с креплениями для внешнего радиатора S - однорядное расположение выводов Т - трехрядное расположение выводов Вторая буква обозначает материал корпуса: С - металлокерамический G - стеклокерамический М - металлический Р - пластмассовый Plessey SemicDnductors Ltd. Префикс Обозначение Суффикс Пример маркировки SP 8735В DG Назначение и технология Корпус - Назначение и технология: 2* 35 MJ - П-МОП ML - аналоговые МОП-ИС с защищенным затвором MN - цифровые МНОП-ИС ИР - цифровые МОП-ИС ИТ - аналоговые МОП-ИС MV - КМОП NJ - п-МОП NOM - МНОП-ИС памяти и матрицы ТАА, ТВА, ТСА, TDA - ИС разработки другик фирм SL - аналоговые биполярные ИС SP - цифровые биполярные ИС Корпус: СМ - многовыводной типа Т05 DC - пластмассовый DIL DG - керамический DIL DP - пластмассовый DIL ЕР - для мощных ИС FM - 10-выводной плоский GC - беэвыводной кристаллодержатель GM - 14-выводной ппоский КМ - типа ТОЗ QG - керамический с четырехрядным расположением выводов QP - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов РР - DIL для мощных ИС с радиатором SP - пластмассовый с однорядным расположением выводов Precision Monolithics Inc. Префикс Обозначение Суффикс Пример маркировки DAC 08 BI Е Q Г Назначение Термотренировка - Электрические параметры - Корпус - Назначение: ADC - АЦП AMP - инструментальные усилители BUF - буферы (повторители напряжения) СИР - компараторы DAC - ЦАП DMX - демультиплексоры 6АР - аналоговые процессоры общего назначения MUX - мультиплексоры ОР - ОУ |
© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения |