Код

Полное наименование

SIEG

SONY

THEF

TOSJ

Signetics Corp.

Siemens AktiengeseUschaft

Siliconix Inc.

Standard Microsystems Corp.

Sony Corp.

Sprague Electric Corp. Sprague Solid State Thomson-CSF/EFCIS Texas Instruments Inc. Toshiba Corp. TRW LSI Products Tokyo Sanyo Electric Corp. Western Digital Corp. Zi log

Advanced Micro Devices

Префикс Обозначение Суффикс

Пример маркировки

Назначение и технология Тип ИС

Номер прибора Корпус

Температурный диапазон

AM 25

S 05 DM

т -Г Т Т

Назначение и технология; 21 - МОП-ИС памяти

25 - ИС средней степени интеграции

26 - ИС интерфейсов ЭВМ

27 - биполярные ИС памяти и ПЗУ с УФ-стиранием 54 - аналогично 25

60, 61, 66 - аналоговые биполярные ИС 74 - аналогично 25

79 - ИС для устройств связи

80 - МОП-микропроцессоры

81, 82 - МОП- и биполярные периферийные ИС 90, 92, 94 - МОП-ИС 91 - МОП-ОЗУ

93 - биполярные ИС - логические и памяти 95 - периферийные МОП-ИС

98 - ППЗУ с электрическим стиранием информации

99 - КМОП-ИС памяти

104, 1004 - ЭСЛ-ИС памяти

Тип ИС:

Отсутствие знака - стандартные

L - С пониженной потребляемой мощностью

S - с диодами Шотки

LS - с диодами Шотки и пониженной потребляемой мощностью Корпус:

D - пластмассовый герметичный DIL F - плоский

L - безвыводной кристаллодержатель Р - формованный пластмассовый X - кристалл

Температурный диапазон: С - коммерческий М - военный

American Microsystems Inc.

Префикс Обозначение Суффикс

Пример маркировки S 2561 Р

Т

Корпус -

Префикс:

S - стандартная серия Корпус:

С - керамический

Е - керамический DIL

Р - пластмассовый

После обозначения корпуса возможно указание числа выводов

Обозначение корпусов см. табл. 1.3.

Analog Devices Inc.

Префикс Обозначение Суффикс Пример маркировки AD 7520 А J N

Т

Общая информация -

Температурный диапазон -

Корпус -

Префикс:

AD - аналоговые приборы НА - гибридные АЦП HD - гибридные ЦАП

Обозначение:

условный номер прибора, содержащий три или четыре цифры

Общая (дополнительная) информация: А - модернизированный прибор DJ - диэлектрическая изоляция Z - рабочее напряжение +12, -12 В

Температурный диапазон:

А, В, С - промышленный (-25...+85*С)

I, J, К, L, М - коммерческий (О...+70С)

S, Т, и - военный (-55...+125*С)

Корпус:

D - керамический или металлокерамический герметичный DIL

Е - безвыводной кристалл

F - керамический плоский

G - с матричным расположением выводов

И - металлический герметизированный

Н - металлический герметизированный DIL

N - пластмассовый DIL

Q - керамический DIL

CHIPS - кристаллы на пластине