Главная Интегральные микросхемы 1 2 3 4 5 [ 6 ] 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 Корпус: 0 - бескорпусной 1 - керамический DIL IB - герметизация пайкой 2 - метаплостекпянный цилиндрический типа Т05 3 - пластмассовый DIL 4 - безвыводной кристаллодерхсатель 4Р - пластмассовый кристаллодержатель с выводами 6 - керамическая подложка 7 - мини-DIL 9 - плоский Обозначение: Оккх - диодные матрицы 61XX - микропроцессоры бЗхх - КМОП-ПЗУ 64хх - КМОП-интерфейсы 65хх - КНОП-ОЗУ 6600 - мощные импульсные ИС ббхх - КМОП-ПЗУ 76хх - КНОП-ППЗУ с УФ-стиранием 77хх - ПЛМ Модификация: отсутствие буквы - стандартная ИС для КМОП ИС А - напряжение питания 10 В 8 - низкая потребляемая мощность, высокая рабочая частота D - для коммерческого потребления для биполярных ИС А - усовершенствованный тип, два уровня металлизации Р - пониженная потребляемая мощность R - выход-защелка RP - пониженная потребляемая мощность, выход-защелка Температурный диапазон, отбраковка: 1 --55..,+200С 2 --55..,+125С 4 - -25...+85С 5 - 0...+70*С 6 - 100%-ная проверка кристаллов при 25*С 7 - высокая надежность 8 - высокая надежность, термотренировка 9 --40. . .+85С 9+ --40...+85С, термотренировка RH - повышенная радиационная стойкость ИС серии вхСхх Пример маркировки Температурный диапазон Корпус Рабочая частота Отбраковка Температурный диапазон: С - коммерческий <0...+70°С) I - промышленный (-40...+85*С) М - военный (-55 ..+125*С) X--25°С 82С59А-5 /В Т Корпус; D - керамический OIL Р - пластмассовый R - безвыводной кристаллодержатель S - пластмассовый кристаллодержатель с выводами X - бескорпусной Обозначение: 80Схх - микропроцессоры в2Схх - периферийные ИС Рабочая частота: для микропроцессоров 2-8 МГц отсутствие - 5 МГц для периферийных ИС 5-5 МГц отсутствие - 8 МГц Отбраковка: В - повышенная надежность, термотренировка + - промышленный температурный диапазон, термотренировка 883 - полный цикл испытаний в соответствии с военным стандартом MIL-STD-B83 Hitachi Ltd. Пример маркировки Модификация Корпус НМ 472114 А Р Т Т Префикс: НА - аналоговые ИС НО - цифровые ИС НМ - ОЗУ HN - ПЗУ Корпус: Р - пластмассовый OIL С - керамический OIL CG - безвыводной керамический кристаллодержатель герметезированный ;теклом CP - кристалл с выводами в пластмассовом держателе FP - плоский пластмассовый G - керамический OIL PG - плоский с матричным расположением выводов SO - малогабаритный с конфигурированными выводами S - малогабаритный пластмассовый OIL Inmos Corp. Префикс Обозначение Суффикс Пример маркировки Тип Емкость памяти Организация Разновидность Корпус Быстродействие Отбраковка 14 2 0 Т Т Т 1 S 45 М 1 - статические ОЗУ 2 - динамические ОЗУ Емкость памяти: 4 - 16К 5 - 32К |
© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения |