тывающий пучок только управляется электрическим полем у поверхности мишени аналогично регулированию анодного тока электронной лампы полем управляющей сетки. Мишень в таких трубках выполнена в виде сетки, покрытой диэлектриком, на поверхность которого записывают потенциальный рельеф, образующий тормозящее поле. Часть электронов пучка, пройдя тормозящее поле сетки-мишени, проходит на экран покрытый люминофором, и сигнал наблюдается визуально.

В зависимости от процесса записи и считывания, а также от назначения запоминающие трубки можно подразделить на трубки с длительным воспроизведением, трубки с бистабильной записью для счетно-решающих машин, трубки с барьерной сеткой - вычитающие, трубки для перехода от одного стандарта разложения к другому и др.

Принцип действия и устройство запоминающей трубки с видимым изображением. Несмотря на многообразие конструкций

J If 5 ,6

Стирающий импумс

Схематическое изображение трубки с видимым изображением: / - записывающая ЭОС; 2 - отклоняющие пластины; 3 - воспроизводящий катод; 4 - коллекторная сетка; 5 - мишень; 6 - люминесцентный экран

запоминающих трубок, в основе их работы лежат некоторые общие принципы, которые можно пояснить на примере запоминающих трубок с видимым изображением.

Перед люминесцентным экраном запоминающей трубки расположена мишень, представляющая собой металлическую мелкоструктурную сетку, на которую со стороны, противоположной экрану, нанесен слой диэлектрика. Перед мишенью имеется кол-лс: торная сетка, служащая для отбора вторичных электронов с мии.ени. В трубке имеются два электронных прожектора: записывающий, который создает сфокусированный пучок электронов, разворачиваемый по мишени с помощью отклоняющей системы, и воспроизводящий, который создает широкий электронный пучок, облучающий всю поверхность мишени.

Воспроизводящий пучок электронов действует непрерывно, но его прохождение на экран сквозь мишень зависит от потенциа-

ла поверхности диэлектрического слоя. При некотором отрицательном (относительно катода воспроизводящего прожектора) потенциале диэлектрика прохождение электронов воспроизводящего пучка прекращается. Перед записью изображения на всей поверхности диэлектрика создается потенциал, более отрицательный, чем запирающий. Запись производится записывающим пучком.

Электроны записывающего пучка бомбардируют мишень с энергией, при которой коэффициент вторичной записи диэлектрика больше единицы. Поэтому в результате бомбардировки потенциал диэлектрика повышается и становится выше запирающего. Повышение потенциала диэлектрика происходит только в тех местах, которые облучались записывающим пучком. В этих местах пучок электронов проходит сквозь мишень на люминесцентный экран, создавая на нем светящееся изображение однократно записанного на диэлектрике потенциального рельефа

Потенциал участков диэлектрика, на которых произведена запись, хотя и превышает запирающий, но остается отрицательным по отношению к катоду воспроизводящего прожектора. Вследствие этого электроны воспроизводящего пучка, проходя сквозь отверстия сетчатой мишени, ие попадают на поверхность диэлектрика и, следовательно, не искажают записанный потенциальный рельеф. Потенциальный рельеф на мишени может существовать длительное время (для трубки 13ЛН2 не менее 7 сут., для 13ЛН5 не менее 18 ч, для 13ЛН6 не менее 24 ч, для 13ЛН8, 13ЛН9 не менее 7 сут.).

Искажение потенциального рельефа происходит вследствие медленного оседания на поверхности диэлектрика положительных ионов, образующихся за счет ионизации остаточных газов электронами воспроизводящего пучка. Ионный засев приводит к постепенной засветке всего экрана, что и ограничивает время наблюдения однократно записанного изображения.

Для стирания записанной информации необходимо снизить потенциал диэлектрика ниже запирающего значения Стирание производится путем подачи на подложку мишени положительного импульса, амплитуда которого несколько превышает запирающий потенциал диэлектрика. В момент подачи импульса за счет емкостной связи между поверхностью диэлектрика и подложкой мишени потенциал диэлектрика возрастает иа величину, равную амплитуде импульса, и становится положительным по отношению к катоду воспроизводящего прожектора Электроны воспроизводящего пучка начинают оседать иа поверхности диэлектрика и за время действия импульса снижают ее потенциал до значения, равного потенциалу катода воспроизводящею прожектора В момент окончания импульса потенциал поверхности диэлектрика за счет емкостной связи с подложкой мишени снижается на величину, равную амплитуде импульса, и становится ниже запирающего значения. Свечение экрана прекращается, и трубка подготовлена к новой записи.

Кроме того, изображение можно стирать с помощью подачи на подложку мишени коротких положительных импульсов непрерывной последовательности. Изменяя параметры стирающих импульсов, можно регулировать время стирания от долей секунды до десятков секунд. В этом режиме постепенного стирания работа згпоминающей трубки аналогична работе трубки с послесвечением.

Основными параметрами запомипающих трубок с видимым изображением являются яркость свечения экрана, время памяти разрешающая способность и скорость записи.

в справочнике приведены параметры ряда новых запоминающих трубок типов 13ЛН8, 13ЛН12, 31ЛНЗ, ЛН20, ЛН21, ЛН23 и др. Характерной особенностью бистабильной запоминающей трубки 13ЛН8 является то, что она позволяет сохранить записанный Потенциальный рельеф (при запертом воспроизводящем прожекторе) в течение нескольких месяцев, что весьма важно при изучении динамики длительно протекающих процессов. Прибор может также интегрировать редко повторяющиеся процессы, с его помощью можно легко сравнивать и изучать одновременно несколько кривых, налагая их друг на друга, строить графики в прямоугольной системе координат и т. п. Поскольку трубка может использоваться в качестве самописца с широким частотным диапазоном, то, коммутируя ее электронный пучок, можно снимать зависимости нескольких одновременно протекающих процессов. Благодаря указанным свойствам трубка может эффективно использоваться в радиоэлектронике, моторо- и приборостроении, пневматике, гидроакустике, медицине, геологии и др

Широкополосная запоминающая преобразовательная трубка ЛН20 предназначена для однократно и редко повторяющихся сигналов с частотой до 100 МГц и обеспечивает хранение сигналов в течение требуемого времени. Благодаря применению квадрупольной системы фокусировки и отклонения прибор имеет высокие быстродействие и чувствительность сигнальной системы. Трубка применяется в автоматизированных системах измерения импульсных сигналов или в высокочастотных цифровых регистраторах, предназначенных для исследований в области ядерной физики плазмы, а также в ядерной энергетике.

Однолучевые запоминающие трубки с кремниевой мишенью типов ЛН21, ЛН22 предназначены для преобразования гелеви-зионных сигналов, визуализации сигналов ультразвуковых, локационных и других датчиков, повышения контраста реитгено-теле-визионного изображения, а также в качестве элементов памяти в медицинской и технической интроскопии и в качестве буферного ЗУ оконечных устройств ЭВМ

Двухлучевой запоминающий преобразователь ЛН24 предназначен для использования в качестве преобразователя разверток в устройствах радиолокации, системах малокадрового телевидения, дисплеях, дефектоскопах и др. В ЛН24 обеспечивается внутреннее разделение входного и выходного сигналов, что позволяет производить одновременно запись и считывание сигналов с последующей подготовкой мишени к новому циклу.

При применении запоминающих трубок кроме описанных выше особенностей необходимо учитывать особенности по применению, указанные в разд. 5 для осциллографических трубок, а гакже следующие специфические особенности, присущие только запоминающим трубкам;

1 Для повышения времени воспроизведения изображения в запоминающих трубках допускается регулировка напряжения на мишени в пределах норм, указанных а справочных данных на данный тиТ1 трубки

2 Время стирания с помощью однократного импульса, записанного потенциального рельефа в запоминающих трубках определяется только длительностью фронта этого импульса Применение импульсов с крутым фронтом недопустимо, так как это вызовет перезаряд поверхности диэлектрика до потенциала коллекто-